¿Flota el hierro? Divertida experiencia física en casa.

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¿Flota el hierro? Experimentos físicos

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¿Que pregunta? Lance un clavel, un tornillo, una bola de un cojinete al agua; todos se ahogarán de inmediato. Un corte cuadrado de estaño de una lata también irá al fondo. No flota mejor que un hacha o un hierro.

Pero trata de doblar el mismo cuadrado en una caja. ¡Mira, flota! Ahora puedes poner un clavel, un tornillo y una pelota en esta caja, solo se hundirá más, pero no llegará al fondo. Y en una gran caja de hierro, un hacha con hierro podrá viajar sobre el agua. ¡Barcos de acero con cañones de acero, máquinas de acero, anclas de acero en pesadas cadenas de acero navegan en el mar!

¿Flota el hierro?

Por supuesto, usted entiende por qué esto es así. Los barcos de acero tienen aire. Ocupa mucho espacio. ¡Como una vejiga natatoria gigante! Si dejas entrar agua en lugar de aire, el barco se hundirá inmediatamente. Puedes hacer un "naufragio" con tu caja de hojalata. ¡Golpea su fondo con un clavo y verás cómo se hunde el barco que ha recibido un agujero!

Autor: Galpershtein L.Ya.

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Celdas de memoria ROM multinivel 28.06.2013

Toshiba y TSMC han desarrollado una máscara de memoria MROM (solo lectura) que tiene una alta densidad de datos al almacenar unos pocos bits por celda.

Convencionalmente, la máscara ROM está formada por la intersección de una sola palabra y líneas de bits y almacena un solo bit en una celda, dependiendo de si el diodo los conecta o no. Sin embargo, debido a la inestabilidad del proceso de fabricación en tecnologías avanzadas y al estrechamiento del área del canal del transistor de la celda, el tiempo de acceso en el proceso de 40 nm aumenta en comparación con la generación anterior de procesos.

En el Simposio de Circuitos VLSI la semana pasada en Kioto, Japón, Toshiba anunció que ha desarrollado una celda multibit que cubre el doble del área de una celda estándar de un solo nivel.

El artículo considera una celda programable de tres hilos (TWPC), que consta de un solo transistor con tres líneas de bits y almacena dos bits de datos en la celda. Toshiba lanzó memoria en un proceso de 40 nm en un chip de prueba de 1 Mbit e informó una mejora del 38 % en el tiempo de acceso mediante el uso de TWPC. El consumo de energía en modo activo y en modo de espera se mantiene al mismo nivel que una celda estándar. El circuito también triplica las características operativas de la celda sin ningún cambio en la capacidad de memoria por unidad de área. Esto reduce el impacto de la inestabilidad en el proceso de fabricación en un 42 %, dijo Toshiba.

El objetivo principal de un MROM es almacenar datos descargables u organizar ROM que luego, cuando se enciende el hardware, pueden cargar otro software desde la memoria no volátil. Sin embargo, la cantidad de MROM requerida para aplicaciones de sistema en un chip está aumentando para dispositivos como teléfonos inteligentes y tabletas.

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